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中国电子科技集团公司第二十四研究所的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 1249012 |  |
星云 | 集成电路，晶体管（电子），半导体器件，低压电源，稳压电源，电话设备，放大器，车辆电压调节器，车辆驾驶和控制模拟器 | 查看详情 |
中国电子科技集团公司第二十四研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106100635A | 锁相环时钟抖动的仿真方法及系统 | 2016.11.09 | 本发明提供一种锁相环时钟抖动的仿真方法及系统，适用于将锁相环内各个模块对应的噪声信息嵌入至电压域行为 |
| 2 | CN104320112B | 一种相位精确可调双路时钟产生电路 | 2016.10.19 | 本发明提供一种相位精确可调双路时钟产生电路，包括时钟产生电路、电压控制电路和压控延迟调节电路；所述时 |
| 3 | CN106026954A | 运算放大器频率补偿电路 | 2016.10.12 | 本发明提供一种运算放大器频率补偿电路，包括增益电路、输出电路以及增益电路的尾电流源自举电路，其中增益 |
| 4 | CN1787168A | 在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法 | 2006.06.14 | 本发明涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造 |
| 5 | CN105655333A | 一种高维持电压的双向SCR保护结构 | 2016.06.08 | 本发明涉及一种高维持电压的双向SCR保护结构，包括P型衬底、衬底P+掺杂区、N型深阱、衬底P+区、第 |
| 6 | CN105827107A | 电荷泵电路 | 2016.08.03 | 本发明提供一种电荷泵电路，包括产生电荷泵输出电压的电荷泵模块以及基准控制电路、偏置电压模块和误差运算 |
| 7 | CN105867506A | 一种内嵌参考电压的LDO | 2016.08.17 | 本发明涉及一种内嵌参考电压的LDO，包括启动电路、PTAT电流产生器、跨阻放大器、带有频率补偿的误差 |
| 8 | CN105871372A | 防止带内噪声被放大至分频比的平方倍的下采样锁相环 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种防止带内噪声被放大至分频比的平方倍的下采样锁相环，它含有：下采样环路，其输出为环路锁 |
| 9 | CN105763172A | 高速低功耗触发器 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种高速低功耗触发器，包括控制信号生成电路、使能单元和锁存器结构，所述锁存器结构包括两输 |
| 10 | CN106059573A | 减小电荷泵锁相环电路开关信号摆幅的电路和方法 | 2016.10.26 | 本发明提供一种减小电荷泵锁相环电路开关信号摆幅的电路和方法，其中，所述电路包括电源电路单元，提供一工 |
| 11 | CN105786076A | 一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路 | 2016.07.20 | 本发明涉及一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路，包括偏置电路，所述偏置电路输出 |
| 12 | CN105915209A | 一种多功能低功耗熔丝修调控制电路及其控制方法 | 2016.08.31 | 本发明涉及一种多功能低功耗熔丝修调控制电路，包括两个熔丝修调控制电路，两个熔丝修调控制电路形成差分电 |
| 13 | CN104113291B | 低电压达林顿放大器 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种低电压达林顿放大器。它包括一个基本达林顿放大单元、一个交直流分离单元和一个电源电压极 |
| 14 | CN106059586A | 采样装置 | 2016.10.26 | 本发明提供一种采样装置，包括开关电容电路，开关电容电路中第一开关和第二开关的第一端都连接输入信号，第 |
| 15 | CN105978302A | 一种PWM脉冲时序控制电路 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种PWM脉冲时序控制电路，包括：延时电路A，其输入端直接与外部PWM控制器输出信号相连 |
| 16 | CN106066684A | 主从式SOC芯片低功耗控制电路 | 2016.11.02 | 本发明提供一种主从式SOC芯片低功耗控制电路，包括控制器、片外CPU和SOC芯片内的片内CPU，控制 |
| 17 | CN105720936A | 一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器 | 2016.06.29 | 本发明提供一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，包括PMOS输入管M1、M2、M3和M4构成的自偏 |
| 18 | CN106253859A | 一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路 | 2016.12.21 | 本发明提供一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路，属于四象限光电探测应用技术领域，所述光电前端放大 |
| 19 | CN106230407A | 多路数据合成时钟产生装置 | 2016.12.14 | 本发明提供一种多路数据合成时钟产生装置，包括产生电路和脉宽恢复电路，产生电路用于根据全速时钟产生数据 |
| 20 | CN106209061A | 熔丝修调装置 | 2016.12.07 | 本发明提供一种熔丝修调装置，包括控制电路、熔丝电路和信号处理电路，控制电路用于在进行虚拟熔断时，控制 |
| 21 | CN104536917B | 应用于FPAA的基于存储器的多功能动态配置电路 | 2017.04.26 | 本发明提供一种应用于FPAA的基于存储器的多功能动态配置电路，包括SPI模块、主控制器、存储器控制器 |
| 22 | CN105116952B | 可编程的电流基准电路 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种可编程的电流基准电路，包括PTAT电流电路100、TIND电流电路200、译码单元3 |
| 23 | CN104270124B | 基于边沿相加的时钟延迟调节电路及其集成芯片 | 2017.03.29 | 本发明提供一种基于边沿相加的时钟延迟调节电路及其集成芯片，其中，时钟延迟调节电路包括时钟延迟单元，用 |
| 24 | CN103904621B | 具有自恢复功能的限流保护与短路保护电路 | 2017.03.29 | 本发明涉及一种具有自恢复功能的限流保护与短路保护电路，包括电流检测电路、整流电路、电流脉冲幅度控制电 |
| 25 | CN105786076B | 一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路 | 2017.03.08 | 本发明涉及一种具有输出阻抗自调节功能的MOS管共栅共源电流源偏置电路，包括偏置电路，所述偏置电路输出 |
| 26 | CN104407534B | 一种分集式多芯片同步系统 | 2017.02.15 | 本发明涉及一种分集式多芯片同步系统，属于高速DDS和高速DAC中的多芯片应用技术领域。与常规的多芯片 |
| 27 | CN106392940A | 兼容集成电路微组装工艺的通用夹具 | 2017.02.15 | 本发明提供一种兼容集成电路微组装工艺的通用夹具，包括底盘以及设置在底盘内的定位格栅，底盘的底面为平面 |
| 28 | CN103929178B | 逐次逼近模数转换器及其转换方法 | 2017.02.08 | 本发明中公开一种逐次逼近模数转换器及其转换方法，其中该逐次逼近模数转换器包括：带冗余位的分段多级电容 |
| 29 | CN104158526B | 一种提高MOS管模拟开关线性度的方法及MOS管模拟开关电路 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种基于电荷补偿的提高MOS管模拟开关线性度方法，主要应用于集成电路领域，特别是涉及MO |
| 30 | CN104677528B | 一种电容式压力传感器及其制备方法 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种电容式压力传感器，包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容，还包括导电 |
| 31 | CN104181457B | 一种半导体器件温湿度复合应力加速模型优选方法 | 2017.01.18 | 本发明公开了半导体器件应力加速模型优选方法，包括：筛选合格的样品并分组；对其中一组进行正常应力退化试 |
| 32 | CN103872998B | H桥PWM功率放大器过流保护电路 | 2017.01.11 | 本发明涉及一种H桥PWM功率放大器过流保护电路，它包括一个比较器电路，一个单稳态电路和一个施密特电路 |
| 33 | CN106298736A | 半导体集成电路螺旋电感 | 2017.01.04 | 本发明提供一种半导体集成电路螺旋电感，包括衬底、多层介质层和金属布线层，其中衬底上形成有多层介质层， |
| 34 | CN106298981A | 与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法 | 2017.01.04 | 本发明提供一种与MOS管集成的双多晶电容结构及制造方法，该方法首先制作双多晶电容的下极板和介质层，然 |
| 35 | CN106209099A | 基于真随机数序列的流水线模数转换器动态补偿装置 | 2016.12.07 | 本发明提供一种基于真随机数序列的流水线模数转换器动态补偿装置，该装置包括子模数转换器、子数模转换器、 |
| 36 | CN106130557A | 一种比较器失调电压自校正电路 | 2016.11.16 | 本发明提供一种比较器失调电压自校正电路，由于半导体工艺参数随机性引起了比较器失调电压，比较器失调电压 |
| 37 | CN106130496A | 一种运算放大器增益提高电路 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种运算放大器增益提高电路，通过增加运算放大器有效跨导的方法提高增益。具体做法为：将传统 |
| 38 | CN106130555A | 自举开关的自举电压产生电路 | 2016.11.16 | 本发明提供一种自举开关的自举电压产生电路，包括控制单元、第一充放电单元、第二充放电单元、电流镜和组合 |
| 39 | CN106100638A | 流水线模数转换器的误差补偿校正装置 | 2016.11.09 | 本发明提供一种流水线模数转换器的误差补偿校正装置，包括校正流水级和常规流水级，针对每个校正流水级，设 |
| 40 | CN106098800A | 电容结构及电容阵列 | 2016.11.09 | 本发明提供一种电容结构及电容阵列，该电容结构包括上极板和下极板，其中上极板包括主上极板和次上极板，主 |
| 41 | CN106026757A | 一种差分电荷泵 | 2016.10.12 | 本发明提供一种差分电荷泵，该电荷泵由两个完全一样的单端电荷泵电路组成，每个单端电荷泵电路包括第一PM |
| 42 | CN106026975A | 自偏置电路 | 2016.10.12 | 本发明提供一种自偏置电路，包括：偏置单元，适于产生偏置电压输入至差分放大器电路，以维持所述差分放大器 |
| 43 | CN106027030A | 一种高速高线性全差分跟随器 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种高速高线性全差分跟随器，包括源极跟随器，所述源极跟随器包括第一NMOS管、第二NMO |
| 44 | CN106027057A | 一种轨到轨电流输出开关 | 2016.10.12 | 本发明提供一种轨到轨电流输出开关，包括PMOS电流开关和NMOS电流开关，还包括第一BALUN和第二 |
| 45 | CN105977938A | 芯片ESD保护电路 | 2016.09.28 | 本发明提供一种芯片ESD保护电路，包括集成电路层和导电层，其中集成电路层中第一电源域和第二电源域上分 |
| 46 | CN105957667A | 可程控隔离电阻可调装置 | 2016.09.21 | 本发明提供一种可程控隔离电阻可调装置，包括控制器、数模转换器、相互隔离的敏感源发生器和敏感电阻，其中 |
| 47 | CN103871475B | 上电自复位的熔丝读取电路 | 2016.09.14 | 本发明涉及一种上电自复位的熔丝读取电路。本发明电路在上电时刻，复位熔丝单元为逻辑低电平，并利用反馈环 |
| 48 | CN105932984A | 数字信号合成电路及级联数字信号合成电路 | 2016.09.07 | 本发明提供一种数字信号合成电路及级联数字信号合成电路，该数字信号合成电路包括选择信号产生通路、第一信 |
| 49 | CN103414471B | 提高D/A转换器积分非线性和微分非线性测量稳定度的方法 | 2016.09.07 | 本发明涉及一种提高D/A转换器积分非线性和微分非线性测量稳定度的方法，包括：1)确定要测量的高位等权 |
| 50 | CN105932971A | 一种驱动宽范围容性负载的三级运算放大器 | 2016.09.07 | 本发明涉及一种驱动宽范围容性负载的三级运算放大器，包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路、第三 |
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